TRANSISTORES DE BAJA SEÑAL

Transistor de pequena señal tipo NPN, Vceo 40, Ic 800 mA, HFE 100 a 300, fT 300 MHz, encapsulado TO-18 (TO-206AA). Se utiliza como preamplificador de video, restaurador de buffer, regulador de voltaje, etc.

 

2N2222A METALICO

TRANSISTOR DE PEQUENA SENAL PNP 80 VCEO

 

2SA1015GR

TRANSISTOR DE PEQUENA SENAL NPN 80VCE

2SC1815

 

Transistor de pequena señal bipolar, tipo NPN, Vceo 40 Vmin., fT 300 MHz min. @ 20 mA, Ic 600 mA max. hFE 100 min. a 300 max. @ 150 mA, encapsulado de plástico TO-226AA (TO-92). Estan disenados para amplificacion de pequena señal de baja radiofrecuencia,también son usados como switches de proposito general.

 

MPS2222A

 

Transistor de pequena señal bipolar tipo PNP, Vceo (V min.) 30, ftMHz @ min. 250, Ic mA 20, Ic mA max. 600, HFE min. 100, HEF max. 300, @ Ic mA 150, encapsulado plástico TO-226AA, descripcion: pre-video, restaurador buffer, regulador, excitador, etc.

MPS2907

 

Transistor Darlington de pequena senal, tipo NPN, Ic max. 500 mA, Vceo min. 30, hfe min. 10K, ft min. 125 MHz @ Ic 10 mA, Vce max. 1,5 V @ Ic 100 mA. Encapsulado plástico TO-226AA (TO-92), descripcion: pre-amplificador.

MPSA13

Transistor de alto voltaje, tipo NPN, Vceo min. 300 V, Ic max. 500 mA, hfe min. 40 @ Ic 10 mA, Vce (sat.) max. 0,5 V, ft min. 50 MHz @ Ic 10 mA. Encapsulado plástico TO-226AA (TO-92), descripcion: proposito general, amplificador, etc.

 

MPSA42

 

Transistor de alto voltaje, tipo PNP, Vceo min. 300 V, Ic max. 500 mA, hfe min. 40 @ Ic 10 mA, Vce (sat.) max. 0,8 V, ft Mhz min. 50@ Ic 10 mA. Encapsulado plástico TO-226AA (TO-92), descripcion: proposito general, amplificador, etc.

 

MPSA92

 

TRANSISTORES DEPOTENCIA

Transistor de Potencia bipolar, tipo NPN, Vceo 60 min., Ico 15 A max., hFE 20 min. a 70 max. @ 1 MHz, fT 2,5 MHz min. Pd 115 W @ 25 grados Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Disenados para salida de audio de alto poder.

2N3055

 

 

 

   
BD136   TRANSISTOR DE POTENCIA MOTOROLA PNP 45VCEO    
 
 
Precio Público*   
   $7.00  
 
 
Artículos a cotizar

 
Medio Mayoreo  $3.20
Mayoreo  $2.40
 
Transistor de Potencia Bipolar, tipo PNP, Vceo 45 V min., Ic 1,5 A max., hFE 40 min. 250 max. @ Ic 0,15 A, fT --- MHz min., Pd 12,5 W @ 25 grados Celsius, encapsulado TO-225AA. Disenados para proposito general, salida de audio y switcheo rápido.

 

Transistor de Potencia Bipolar, tipo NPN, Vceo 45 V min., Ic 1,5 A max., hFE 40 min. 250 max. @ Ic 0,15 A, fT --- MHz min., Pd 12,5 W @ 25 grados Celsius, encapsulado TO-225AA. Disenados para proposito general, salida de audio y switcheo rápido.

 

BD135

Transistor MOSFET, canal N, VDSS 200 V min., RDS 0,18 Ohms max. @ Id 11A, ID 18 A, Pd 125 W max. @ 25 grados Celsius, encapsulado TO-220AB.
IRF640

Transistor de Potencia bipolar, tipo PNP, Vceo 60 min., Ico 15 A max., hFE 20 min. a 70 max. @ 1 MHz, fT 0,8 MHz min. Pd 115 W @ 25 grados Celsius, encapsulado metálico TO-224AA (TO-3). Disenados para salida de audio de alto poder.

 
   
MJ2955

 

 

 

Transistor de Potencia bipolar, tipo PNP, Vceo 60 min., Ico 10 A max., hFE 20 min. 70 max. @ 1 MHz, fT --- MHz, Pd 75 W @ 25 grados Celsius, encapsulado metálico TO-220AB. Disenados para salida de audio de alto poder.  
   
MJE2955T


 

 

 

Transistor de Potencia Bipolar Darlington, tipo NPN, Vceo 100 V min., Ico 8 A max., hFE 1k min. 20k max. @ Ic 3 A, fT 4,0 MHz min. Pd 80 W @ 25 grados centígrados, encapsulado TO-220AB. Disenados para proposito general y salida de audio

 

TIP102

Transistor de Potencia Bipolar Darlington, tipo NPN, Vceo 100 V min., Ico 2 A max., hFE 500 min. @ Ic 2 A, fT 25 MHz min. Pd 50 W @ 25 grados Celsius, encapsulado TO-220AB. Disenados para proposito general, salida de audio y switcheo rápido.

 

TIP112

Transistor de Potencia Bipolar, tipo PNP, Vceo 100 V min., Ico 6 A max., hFE 15 min. 75 max. @Ic 3 A, fT 3 MHz min., Pd 65 W @ 25 grados Celsius, encapsulado TO-220AB. Disenados para proposito general, salida de audio y switcheo rápido

TIP42C